[发明专利]TiAlN-TiBN多层厚膜及其制备方法有效
| 申请号： | 200910099424.7 | 申请日： | 2009-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101602272A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 刘智勇;杨润田;刘若涛 | 申请（专利权）人： | 中国兵器工业第五二研究所 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/32;C23C14/02;C23C14/54 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司 | 代理人： | 袁忠卫;景丰强 |
| 地址： | 315103浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种TiAlN-TiBN多层厚膜，其特征在于该多层厚膜由磁控溅射的TiAlN层和电弧离子镀的TiBN层交替沉积而成，并且，前述的TiBN层厚度为0.1μm～0.3μm，前述的TiAlN层厚度为2.1μm～4.3μm。本发明还公开该多层厚膜的制备方法。与现有技术相比，本发明的优点在于：TiAlN层与TiBN层交替分布实现了TiAlN薄膜成分多元化和结构多层化，改善其应力分布，所得产品致密均匀、显微硬度大，提高结合强度，大幅度增加厚度，满足软基体或不能热处理产品的表面强化需求。 | ||
| 搜索关键词： | tialn tibn 多层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种TiAlN-TiBN多层厚膜，其特征在于该多层厚膜由磁控溅射的TiAlN层和电弧离子镀的TiBN层交替沉积而成，并且，前述的TiBN层厚度为0.1μm～0.3μm，前述的TiAlN层厚度为2.1μm～4.3μm。
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