[发明专利]一种增强硅基二氧化钛器件的电致发光的方法无效
| 申请号： | 200910099556.X | 申请日： | 2009-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101587931A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;杨德仁;章圆圆;陈培良;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强硅基二氧化钛器件的电致发光的方法，该方法是通过在硅衬底上利用溅射、热氧化、蒸发或者溶胶-凝胶等方法制备TiO2薄膜，然后利用等离子体增强化学气相沉积设备对TiO2薄膜进行Ar等离子体处理，再在TiO2薄膜上沉积透明ITO电极，最后在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明提出的增强方式简单，所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 硅基二 氧化 器件 电致发光 方法 | ||
【主权项】：
1、一种增强硅基二氧化钛器件的电致发光的方法，包括以下步骤：1)将清洗后的电阻率为0.005-50欧姆·厘米的P型或N型硅作为硅衬底，在硅衬底上制备TiO2薄膜；2)将覆有TiO2薄膜的硅衬底放入等离子体增强化学气相沉积设备的反应室中，反应室真空度抽至5×10-3Pa，通入Ar气，在10Pa～80Pa压强下，衬底温度为100℃～400℃，对TiO2薄膜进行Ar等离子处理，功率为20w～70w，时间为0.5h～3h；3)在经过Ar等离子处理后的TiO2薄膜上溅射透明ITO电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。
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