[发明专利]一种二氧化硅掺杂改性的不溶性二氧化铱阳极及其制备方法无效
申请号: | 200910099601.1 | 申请日: | 2009-06-11 |
公开(公告)号: | CN101565835A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 胡吉明;王晓梅;张鉴清;曹楚南 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C25B11/10 | 分类号: | C25B11/10;C23C20/08 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 周 烽 |
地址: | 310027浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种二氧化硅掺杂改性的不溶性二氧化铱阳极及其制备方法,它包括钛基体和在钛基体表面涂覆的一层掺杂了二氧化硅纳米组元的二氧化铱活性涂层;本发明的方法操作简单,所得到的经SiO2掺杂改性的不溶性阳极涂层的晶粒细小,并呈多孔特性。阳极的析氧电催化活性高,且具有更长的使用寿命。而且由于采用SiO2替代了大量的贵金属氧化物,阳极的制备和使用成本大幅度降低。 | ||
搜索关键词: | 一种 二氧化硅 掺杂 改性 不溶性二 氧化 阳极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种二氧化硅掺杂改性的不溶性二氧化铱阳极,其特征在于,它包括钛基体和在钛基体表面涂覆的一层掺杂了二氧化硅纳米组元的二氧化铱活性涂层。
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