[发明专利]基于铁酸铋薄膜体系的电阻式随机存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 200910099716.0 | 申请日： | 2009-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101587936A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李润伟;尹奎波;刘宜伟;李蜜;陈斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;C23C20/08 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司 | 代理人： | 袁忠卫 |
| 地址： | 315201浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及到一种基于铁酸铋薄膜体系的电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器包括绝缘基底(101)层为第一层，下电极(102)为第二层，铁酸铋薄膜(103)为第三层，上电极(104)为第四层；其制备方法采用热蒸发或磁控溅射的方法在绝缘基底层上生长下电极，采用磁控溅射、脉冲激光沉积或溶胶-凝胶的方法在下电极上生长铁酸铋薄膜，最后采用热蒸发或磁控溅射的方法在铁酸铋薄膜上生长上电极，并且通过紫外光刻、电子束、或者离子束刻蚀等方法得到上电极图形。本发明所提供的存储器具有很好的电致电阻效应和较好的稳定性，制备方法简单，成本低，易于大规模制备和工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铁酸铋 薄膜 体系 电阻 随机 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于铁酸铋薄膜体系的电阻式随机存储器，其特征在于：绝缘基底(101)层为第一层，下电极(102)为第二层，铁酸铋薄膜(103)为第三层，上电极(104)为第四层。
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