[发明专利]一种镓和锗共掺的直拉硅单晶无效
| 申请号： | 200910099993.1 | 申请日： | 2009-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101597794A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;余学功;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镓和锗共掺的直拉硅单晶，含有浓度为1×1015～1×1017/cm3的镓，还含有浓度为1×1016～5×1020/cm3的锗。在利用镓作为电活性掺杂剂避免光衰减的基础上，通过锗抑制硅单晶中原生微缺陷的形成，获得少子寿命比单独掺镓的硅单晶要高1倍以上的硅单晶，少子寿命最高达100μs，可用于高效率太阳电池的制备。同时，其机械强度比单独掺镓的硅单晶要高20％以上，室温断裂机械强度最高可达300N/mm2，应用于太阳能电池中时，硅片可以切得较薄，降低了太阳能电池的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锗共掺 直拉硅单晶 | ||
【主权项】：
1、一种镓和锗共掺的直拉硅单晶，其特征在于，含有浓度为1×1015～1×1017/cm3的镓，并含有浓度为1×1016～5×1020/cm3的锗。
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