[发明专利]掺氮的定向凝固铸造多晶硅及其制备方法无效
| 申请号： | 200910099995.0 | 申请日： | 2009-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101597791A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;余学功;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺氮的定向凝固铸造多晶硅及其制备方法，利用便宜的氮气取代昂贵的氩气作为保护气体，实现低成本定向凝固铸造多晶硅；同时，由于在氮气气氛下进行融硅和铸造，实现在多晶硅中掺入氮，得到掺氮铸造多晶硅，提高了铸造多晶硅的机械强度，用于太阳能电池中可切割为更薄的硅片，从而降低太阳能电池的生产成本。本发明的铸造多晶硅含有浓度为1×1015～1×1017/cm3的硼、镓和磷，还含有浓度为1×1013～5×1015/cm3的氮。 | ||
| 搜索关键词： | 定向 凝固 铸造 多晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掺氮的定向凝固铸造多晶硅，其特征在于：含有浓度为1×1015～1×1017/cm3的硼、镓或磷，还含有浓度为1×1013～5×1015/cm3的氮。
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