[发明专利]一种大功率雪崩整流二极管的生产方法无效
| 申请号： | 200910100121.2 | 申请日： | 2009-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101593694A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 叶锦铭 | 申请（专利权）人： | 缙云县志远电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所 | 代理人： | 王桂名 |
| 地址： | 321402浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大功率雪崩整流二极管的生产方法，包括扩散、焊接、酸洗和封装步骤，所述的酸洗步骤中，将酸液温度控制在-30～-20℃对整流二极管进行腐蚀，酸洗时间为15～20分钟。本发明的生产方法通过对酸液进行低温控制，避免了酸洗工艺上的温升快、时间短所造成的器件一致性差、合格率低的缺陷，同等人工条件下可处理较现有技术10倍左右数量的二极管，较大幅度地提高了生产效率，降低了生产成本；且二极管产品电特性好，芯片合格率达到95％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 雪崩 整流二极管 生产 方法 | ||
【主权项】：
1、一种大功率雪崩整流二极管的生产方法，包括扩散、焊接、酸洗和封装步骤，其特征在于：所述的酸洗步骤中，将酸液温度控制在-30～-20℃对整流二极管进行腐蚀，酸洗时间为15～20分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
