[发明专利]一种Mg-Na共掺的ZnO基发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200910100826.4 | 申请日： | 2009-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101604719A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;张利强;黄靖云;张银珠;朱丽萍;汪雷;蒋杰;薛雅;张俊 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;杭州兰源光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Mg-Na共掺的ZnO基发光二极管及其制备方法。该Mg-Na共掺的ZnO基发光二极管包括p型层、n型层和电极，其中，所述p型层为Mg-Na共掺的ZnO薄膜，所述n型层为n型ZnO单晶衬底。该发光二极管的制备方法是采用脉冲激光沉积法在n-ZnO单晶衬底上沉积Mg-Na共掺p型ZnO层，其中靶材中Mg的摩尔百分含量是5-20％，Na的含量是0.1-1％，生长气氛为氧气，然后通过控制生长温度、气压、激光频率等参数来生长具有良好p型性能的ZnO薄膜；再用磁控溅射分别在n型ZnO层和p型ZnO层沉积电极。本发明的优点是制备方法简单，制得的Mg-Na共掺的ZnO基发光二极管亮度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mg na zno 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Mg-Na共掺的ZnO基发光二极管，它包括p型层、n型层和电极，其特征是：所述p型层为Mg-Na共掺的ZnO薄膜，所述n型层为n型ZnO单晶衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学;杭州兰源光电材料有限公司，未经浙江大学;杭州兰源光电材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910100826.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电力系统保护系统
- 下一篇：防腐耐高温钢丝铠装抗拉撕扁电缆
