[发明专利]高光催化活性的TiO2-ZnO双层复合薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910100863.5 申请日: 2009-07-16
公开(公告)号: CN101608300A 公开(公告)日: 2009-12-23
发明(设计)人: 刘岑岑;张溪文;韩高荣 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 韩介梅
地址: 310027*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开的高光催化活性的TiO2-ZnO双层复合薄膜的制备方法,首先以TiO2和ZnO靶材,采用射频磁控溅射法在清洗过的载玻片上依次沉积ZnO层和TiO2层,得到TiO2-ZnO双层复合薄膜,然后将TiO2-ZnO双层复合薄膜放入介质阻挡放电装置反应室中,反应室抽真空,通入Ar、N2或H2气体,在室温下利用等离子体轰击双层复合薄膜表面。本发明制备工艺简单,制得的TiO2-ZnO复合薄膜具有高光催化活性,良好稳定性及耐腐蚀性,可重复利用率高。
搜索关键词: 光催化 活性 tio sub zno 双层 复合 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.高光催化活性的TiO2-ZnO双层复合薄膜的制备方法,该制备方法包括:以TiO2和ZnO靶材,采用射频磁控溅射法在清洗过的载玻片上依次沉积ZnO层和TiO2层,得到TiO2-ZnO双层复合薄膜,其特征在于将得到的TiO2-ZnO双层复合薄膜放入介质阻挡放电装置反应室中,反应室抽真空至少至0.8Pa,通入Ar、N2或H2气体,调节气体流量100sccm~500sccm,调节反应室中两极板的距离为5mm,电压为100V,在室温下利用等离子体轰击双层复合薄膜表面1-2h。
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