[发明专利]一种用于提纯硅的低硼熔渣及其制备方法无效
| 申请号： | 200910102605.0 | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101905885A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 吴展平 | 申请（专利权）人： | 贵阳宝源阳光硅业有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 52002 | 代理人： | 徐逸心 |
| 地址： | 550014 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明一种用于提纯硅的低硼熔渣及其制备方法，低硼熔渣是由硼含量低于1PPm的CaO-SiO2为基和助剂配合而成，助剂为碱金属和碱土金属的碳酸盐或碱金属的碳酸盐和碱土金属的氟化物的混合物，低硼熔渣的制备依次分5步进行，本发明公开了CaO-SiO2基制备的工艺步骤和工艺条件，本发明采用的原料是工业上普通的化工原料，原料来源易得，反应条件温和，易于操作控制，产品组成稳定，成本低，用于提纯硅，去除硅中硼、磷杂质效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提纯 低硼熔渣 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于提纯硅的低硼熔渣及其制备方法，其特征是熔渣由硼含量低于1PPm的CaO SiO2为基和助剂配合而成，助剂为碱金属和碱土金属的碳酸盐或碱金属的碳酸盐和碱土金属的氟化物的混合物；
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