[发明专利]一种逻辑电平转换电路有效
申请号: | 200910104969.2 | 申请日: | 2009-01-12 |
公开(公告)号: | CN101777905A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 邓锦辉;刘桂云;胡小波;施爱群 | 申请(专利权)人: | 辉芒微电子(深圳)有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 郭伟刚 |
地址: | 518057广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种逻辑电平转换电路,其包括控制端接输入信号、第一端接地、第二端接电平输出的第二增强型高压晶体管,还包括作为负载器件的耗尽型高压晶体管、作为隔离器件的低压晶体管及作为辅助器件的第一增强型高压晶体管。本发明不需要使用高压PMOS器件,用耗尽型高压NMOS管做负载管以消除逻辑高电平的电压损失,并且采用栅极接高电平的低压PMOS管作为隔离器件,进而减小耗尽管的栅源电压并增大其阈值,确保了当逻辑输入信号为高电平时没有静态电流,而第一增强型高压NMOS管用于在信号跳变时短接低压PMOS器件的源漏端。类似地,将以上NMOS管换成PMOS管,PMOS管换成NMOS管也可以达到相同的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 逻辑 电平 转换 电路 | ||
【主权项】:
一种逻辑电平转换电路,包括控制端接输入信号、第一端接地、第二端接电平输出的第二增强型高压晶体管,其特征在于,还包括作为负载器件的耗尽型高压晶体管、作为隔离器件的低压晶体管及作为辅助器件的第一增强型高压晶体管,其中所述耗尽型高压晶体管的第一端接低压晶体管的第一端,第二端接高电源电压,控制端接电平输出;所述低压晶体管的第二端接电平输出,控制端接高电平;所述第一增强型晶体管的第一端接电平输出,第二端接低压晶体管的第一端,控制端接输入信号高低变化产生的高电平脉冲。
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