[发明专利]掉电记忆保护方法无效
| 申请号： | 200910105019.1 | 申请日： | 2009-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN101482840A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 徐晓春 | 申请（专利权）人： | TCL通力电子（惠州）有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/14 | 分类号： | G06F11/14 |
| 代理公司： | 广东国晖律师事务所 | 代理人： | 欧阳启明 |
| 地址： | 518057广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种掉电记忆保护方法，应用于掉电记忆保护电路中，该掉电记忆保护电路包括CPU、可擦写式存储器、电源电路以及外围接口，上电后CPU循环地将数据包写入可擦写式存储器的数据区域及在可擦写式存储器的标志区域做相关记录，并在掉电后通过标志区域的记录查找存储在数据区域中的最新数据包，该方法包括上电后数据的循环存储过程和掉电后数据的回溯过程。本发明将数据循环存储到可擦写式存储器，并在第二次开机后通过回溯方式，查找到断电前的最新数据信息，且在待机或者断电状态不需要使用备用电源，具有能够记忆大量信息且功耗少等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 掉电 记忆 保护 方法 | ||
【主权项】：
1、掉电记忆保护方法，应用于掉电记忆保护电路中，该掉电记忆保护电路包括CPU、可擦写式存储器、电源电路以及外围接口，其特征在于上电后CPU循环地将数据包写入可擦写式存储器的数据区域及在可擦写式存储器的标志区域做相关记录，并在掉电后通过标志区域的记录查找存储在数据区域中的最新数据包，该方法包括上电后数据的循环存储过程和掉电后数据的回溯过程。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL通力电子（惠州）有限公司，未经TCL通力电子（惠州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910105019.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
