[发明专利]通过FPGA内嵌双口RAM实现高压变频器主控系统的方法有效
申请号: | 200910105195.5 | 申请日: | 2009-01-20 |
公开(公告)号: | CN101478282A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 李中锋 | 申请(专利权)人: | 深圳市英威腾电气股份有限公司 |
主分类号: | H02P7/00 | 分类号: | H02P7/00 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 | 代理人: | 胡清方 |
地址: | 518000广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种通过FPGA内嵌双口RAM实现高压变频器主控系统的方法,包括主控芯片和FPGA,在所述FPGA内部集成有控制模块、监控模块、双口RAM;主控芯片负责提供外接的操作接口,对变频器的整体运行状况进行监控,以及高压变频的核心控制逻辑;并通过FPGA对各个功率单元实现控制和监控。本发明具有系统简单、可靠性高,同时降低了成本;简化主控芯片与FPGA的交互;各个单元动作的同步性好等优点。 | ||
搜索关键词: | 通过 fpga 内嵌双口 ram 实现 高压 变频器 主控 系统 方法 | ||
【主权项】:
1、一种通过FPGA内嵌双口RAM实现高压变频器主控系统的方法,其特征在于:包括主控芯片和FPGA,在所述FPGA内部集成有对各个功率单元进行控制的控制模块、对各个功率单元反馈信息的监控模块、与功率单元实现通讯的通讯模块和与主控芯片进行通讯的双口RAM;其中:主控芯片负责提供外接的人机界面接口,对变频器的整体运行状况进行监控,以及高压变频的核心控制逻辑;并通过FPGA对各个功率单元实现控制和监控;FPGA的控制模块负责根据从双口RAM中接收到的主控芯片的控制命令,分别生成控制各个功率单元的控制命令字;以及生成各个功率单元当前的IGBT控制信号;FPGA的功率单元信息监控模块用于获取并初步处理各个功率单元的反馈信息;FPGA的通讯模块用于处理与各个功率单元的通讯,包括发送子模块与接收子模块两部分;对于发送子模块,按照同一个节拍向每一个功率单元发送控制模块生成的各个功率单元的控制命令字以及功率单元当前的PWM控制信号;对于接收子模块,则分别接收、解析各个功率单元的反馈信息,并传给功率单元的信息监控模块;FPGA的双口RAM则是FPGA与主控芯片之间的桥梁;该双口RAM的一端连接FPGA内部的控制模块、监控模块;另一端则按照主控芯片的处理时序,搭建与类似于片外存储器的电路,与主控芯片的外部数据总线相连,以便于主控芯片能像访问外部存储器那样方便的访问FPGA。
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