[发明专利]电介质薄膜、薄膜电容器及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200910106869.3 申请日: 2009-04-23
公开(公告)号: CN101872680A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: 于淑会;孙蓉;范艳华;李磊;万里兮;杜如虚;尹衍升 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/33;H01B3/12;C04B35/468;C04B35/47
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 曾旻辉
地址: 518067 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种具有高介电常数、低损耗和低的漏电流的电介质薄膜及薄膜电容器,以及薄膜电容器的制备方法,属于电子材料及元器件的技术领域。电介质薄膜的化学式为Ba1-x-ySryMnxTiO3,其中0≤y<1,0<x≤0.05。薄膜的介电常数≥400,介电损耗≤0.02。本发明公开的电容器以上述薄膜作为电介质,以粗糙度小于20nm的金属箔作为底电极。本发明公开的制备薄膜电容器的方法,包括将铜箔抛光、制备薄膜前驱体、涂膜、在温度区间400~600℃进行预退火以及在700~900℃温度区间进行最后退火等步骤。其中预退火和最后退火氧分压均维持在10-60~10-20atm之间。
搜索关键词: 电介质 薄膜 电容器 及其 制作方法
【主权项】:
一种电介质薄膜,其特征在于:薄膜组分为Ba1-x-ySryMnxTiO3,其中0≤y<1,0<x≤0.05。
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