[发明专利]一种硅烷中微量杂质的去除方法有效

专利信息
申请号: 200910109206.7 申请日: 2009-07-30
公开(公告)号: CN101987730A 公开(公告)日: 2011-03-23
发明(设计)人: 丁显波;安荣玲;周勇;姜占锋 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: C01B33/04 分类号: C01B33/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518118 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种硅烷中微量杂质的去除方法,包括采用大孔型阳离子交换树脂,对所述大孔型阳离子交换树脂进行改性;将改性后大孔型阳离子交换树脂装填入吸附塔中,经吹扫除氧后使硅烷气体通过。本发明提供的硅烷中微量杂质去除方法显著的去除了硅烷中的B2H6、PH3和AsH3等微量组分,使各组分含量降至0.5×10-9以下,达到电子及半导体行业对高纯度硅烷的使用要求。
搜索关键词: 一种 硅烷 微量 杂质 去除 方法
【主权项】:
一种硅烷中微量杂质的去除方法,包括采用大孔型阳离子交换树脂,对所述大孔型阳离子交换树脂进行改性;将改性后大孔型阳离子交换树脂装填入吸附塔中,经吹扫除氧后,使硅烷气体通过吸附塔。
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