[发明专利]孔刻蚀中预去除聚合物的方法有效
| 申请号： | 200910109657.0 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102064106A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 许宗能;任小兵;薛浩;王吉伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种孔刻蚀中预去除聚合物的方法，在正常的干法等离子体刻蚀步骤之后，加入氧、氩混合等离子体替换刻蚀等离子气体，利用等离子体刻蚀过程中的重离子轰击机制，达到将长碳链聚合物分解为短碳链聚合物的目的，从而后续干法或者湿法去胶工艺能在较短的时间内将聚合物彻底清除，既提高了去除聚合物的稳定性，提高产品的质量，又减少工艺时间，提高工艺效益，降低成本，提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 去除 聚合物 方法 | ||
【主权项】：
一种孔刻蚀中预去除聚合物的方法，其特征在于：包括以下步骤：等离子体刻蚀；加入氧、氩混合等离子体替换刻蚀等离子气体；去胶工艺去除聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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