[发明专利]改善晶圆清洗缺陷的方法无效
| 申请号： | 200910109776.6 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102069078A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘金慧;钱利森;陈凤英 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/10 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善晶圆清洗缺陷的方法，包括第一步清洗，用去离子水冲洗晶圆和卡盘，去除化学混合液；第二步清洗，用去离子水快排冲水清洗晶圆和卡盘，进一步去除化学混合液；第三步清洗，用去离子水冲洗晶圆和卡盘，再进一步去除化学混合液。本发明的改善晶圆清洗缺陷的方法采用三步冲洗过程，同时采用热去离子水及快排冲洗清洗模式，提高了对化学粘稠液的清洗能力，减少了残留的化学混合液，降低了化学混合液接触晶圆的几率，改善了晶圆清洗缺陷，与传统的方法相比，减少了设备额外进行维护及停机时间，提升了产品在线周转率，由于采用制程优化，节约了大量人力成本。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 清洗 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种改善晶圆清洗缺陷的方法，其特征在于：包括第一步清洗，用去离子水冲洗晶圆和卡盘，去除化学混合液；第二步清洗，用去离子水快排冲水清洗晶圆和卡盘，进一步去除化学混合液；第三步清洗，用去离子水冲洗晶圆和卡盘，再进一步去除化学混合液。
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