[发明专利]垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 200910110065.0 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101719509A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 谭咸宁 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑小粤 |
| 地址： | 518029 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，其终端结构包括：硅基衬底，设于硅基衬底上的外延层，在外延层上部设置的至少一个分压环，位于外延层上的氧化层，设于氧化层上的多晶硅场板，多晶硅场板表面的玻璃层，以及设于玻璃层上的金属场板，所述分压环、以及依次覆盖其上的氧化层、多晶硅场板、玻璃层、金属场板构成至少一个场板分压环复合结构，场板分压环复合结构的分压环上设置有第一通孔，金属场板通过第一通孔与该分压环接触。本发明改进了终端结构，在获得同样耐压值的情况下，减小了终端面积，提高了芯片的利用率，节省了生产成本。此外，硅片表面覆盖有多晶硅场板和金属场板，将硅片与外界隔离，增加了产品的稳定和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的终端结构包括：硅基衬底，设于硅基衬底上的外延层，在外延层上部设置的至少一个分压环，位于外延层上的氧化层，设于氧化层上的多晶硅场板，多晶硅场板表面的玻璃层，以及设于玻璃层上的金属场板，所述至少一个分压环中的一个分压环、以及依次覆盖其上的氧化层、多晶硅场板、玻璃层、金属场板构成至少一个场板分压环复合结构，所述构成场板分压环复合结构的分压环上设置有第一通孔，金属场板通过第一通孔与该分压环接触。
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