[发明专利]薄膜太阳能电池吸收层CuInSe2薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种薄膜太阳能电池吸收层CuInSe2薄膜的制备方法，采用离子束溅射沉积法，通过精确调整离子束溅射的参数等，先后溅射Cu、In和Se靶制备三元叠层或三元周期叠层薄膜，在同一高真空环境下，高温退火制备所述CuInSe2薄膜。本发明的薄膜太阳能电池吸收层CuInSe2薄膜的制备方法，其工艺优化、操作简单、提高原材料的利用率且制备的CuInSe2薄膜均具有典型的黄铜矿结构，Cu/In/Se原子比接近CIS的理想化学计量比1∶1∶2，并且Cu略富于In；其光学带隙为1.05eV，光吸收系数高达105cm-1；薄膜电阻率少于0.01Ωcm，均满足高效率光伏器件的性能要求。

主权项

一种薄膜太阳能电池吸收层CuInSe2薄膜的制备方法，其特征在于，采用离子束溅射系统的离子束溅射沉积法，在同一高真空环境下，高温退火三元溅射叠层或三元溅射周期叠层制备所述CuInSe2薄膜。