[发明专利]一种提高氮化镓薄膜质量的外延方法无效
| 申请号： | 200910110635.6 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101764055A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 金柯 | 申请（专利权）人： | 金柯 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/311 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种可以获得高质量外延氮化镓薄膜的方法，该方法主要是刻蚀掩模层如下图，然后外延及横向外延直到和掩模层长平，再刻蚀或部分刻蚀掉下图中的掩模层，再悬空外延生长。该方法能有效降低衬底与外延层之间的晶格失配和热失配的影响，从而得到高质量氮化镓。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氮化 薄膜 质量 外延 方法 | ||
【主权项】：
一种外延高质量氮化镓薄膜层的方法，该方法包括以下步骤：(1)先在蓝宝石，碳化硅或硅衬底上做一层二氧化硅或氮化硅掩模层，刻蚀条形窗口，但条形窗口的边缘是台阶形状。(2)外延生长氮化镓，当高出掩模层第一个台阶(台阶的面可以是非平面)时横向生长，如此方法直到与最后一个台阶长平。(3)再做一层掩模，然后顺着最后一个台阶处向下刻蚀，直到露出氮化镓的垂直面。(4)再悬空外延生长，当高出最上层的掩模层后横向生长，直到长平达到要求的厚度：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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