[发明专利]大功率半导体微腔发光二极管无效
| 申请号： | 200910110947.7 | 申请日： | 2009-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101478025A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张保平;蔡丽娥;刘宝林;余金中;王启明 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;G02B5/08 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 大功率半导体微腔发光二极管，涉及一种发光管。提供一种可提高发光功率的大功率半导体微腔发光二极管。从下至上设有底部分布布拉格反射镜和腔区。分布布拉格反射镜是由两种折射率不同的材料以层厚为四分之一中心波长交替生长形成的。在腔区上可设有顶部分布布拉格反射镜，或顶部金属反射镜。提出一种用较少周期数(两种折射率不同的半导体材料层厚各为四分之一中心波长叠加后厚度为二分之一中心波长定为一个周期)的DBR得到较高反射率的方法，两种折射率不同的半导体材料由于晶格失配和热膨胀系数失配导致构成的DBR表面出现裂痕影响随后腔区晶体质量的可能性减少。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
1. 大功率半导体微腔发光二极管，其特征在于从下至上设有底部分布布拉格反射镜和腔区。
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