[发明专利]钨酸盐助溶剂体系生长YAl3(BO3)4晶体的方法有效

专利信息
申请号: 200910111248.4 申请日: 2009-03-13
公开(公告)号: CN101831705A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 叶宁;刘华 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B9/12;G02F1/355
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种用于生长YAB晶体的助溶剂体系该助溶剂体系为Li2WO4-B2O3-Li2O。以含Y,Al,Li和W的相应氧化物或碳酸盐或硝酸盐或草酸盐或硼酸盐或氢氧化物或其铵盐和H3BO3或B2O3为原料,采用熔盐法生长YAB晶体。
搜索关键词: 钨酸盐助 溶剂 体系 生长 yal sub bo 晶体 方法
【主权项】:
采用熔盐法生长YAl3(BO3)4晶体的方法,其特征在于:所用的助溶剂体系为xLi2WO4-yB2O3-zLi2O(17at%<x/(x+y)<62at%),0≤z/x≤0.5。
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