[发明专利]一种细晶强化硅锡复合材料的方法无效
申请号: | 200910111529.X | 申请日: | 2009-04-17 |
公开(公告)号: | CN101760655A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
发明(设计)人: | 郑智雄;张伟娜;赵志跃;徐诗双;洪朝海;戴文伟 | 申请(专利权)人: | 南安市三晶阳光电力有限公司 |
主分类号: | C22C1/02 | 分类号: | C22C1/02;C22C13/00;C22C29/18;C22C32/00 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭 |
地址: | 362000 中国福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种细晶强化硅锡复合材料的方法,涉及一种硅锡材料。其首先按配比所需重量的硅及锡,然后将配置好的硅锡原料混合,加入炉中,升温至1400℃以上,再以10~50℃/h的速度降温,得到硅锡复合材料;之后再将得到的硅锡复合材料放入铸锭炉中升温至800℃~1100℃,进行二次熔炼,再以5-20℃/h的速度冷却。本发明的方法可以提供一种新型复合材料-硅锡复合材料,该材料具有高强度和高韧性。 | ||
搜索关键词: | 一种 强化 复合材料 方法 | ||
【主权项】:
一种细晶强化硅锡复合材料的方法,以硅、锡为原料,经过高温熔炼和二次熔炼,得到细晶强化的硅锡复合材料,其步骤包括:(1)原料配置:按照硅锡重量比1∶1~10的配比计算所需重量的硅及锡;(2)原料熔炼:将配置好的硅锡原料混合,加入炉中,升温至1400℃以上,完全熔解后,降温至1400℃,再以10~50℃/h的速度冷却,得到硅锡复合材料;(3)细晶强化:将步骤(2)得到的硅锡复合材料放入铸锭炉中,升温至1000℃~1200℃,进行二次熔炼,完全熔解后,降温至1000℃后,再以5-20℃/h的速度冷却。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南安市三晶阳光电力有限公司,未经南安市三晶阳光电力有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910111529.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:自偏置稳压电路
- 下一篇:接收机以及运行接收机的方法