[发明专利]一种氮化物发光器件及其制备方法无效
| 申请号： | 200910111571.1 | 申请日： | 2009-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101540364A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 张江勇;张保平;王启明;蔡丽娥;余金中 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/34 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种氮化物发光器件及其制备方法，涉及一种半导体发光器件。提供一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件及其制备方法。至少包括n-型电子注入层、p-型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在n-型电子注入层和p-型空穴注入层之间。有源层由非对称耦合量子阱结构组成。量子阱的垒层较薄，易实现载流子隧穿，且量子阱中基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱接近p型注入层，跃迁能量小的量子阱接近n型注入层。用此有源区结构可增强空穴在量子阱有源区中的隧穿输运，同时阻挡电子在量子阱有源区中的隧穿输运，改善氮化物发光器件有源区中载流子分布不均现象，减小电子泄露和能带填充效应，实现高效发光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物发光器件，其特征在于至少包括n-型电子注入层、p-型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在n-型电子注入层和p-型空穴注入层之间。
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