[发明专利]一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 200910111881.3 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101572288A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 刘宝林;朱丽虹 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种出光效率和输出功率较高的GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法。设有蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上外延生长多层异质结构，多层异质结构自下而上设有低温GaN缓冲层、N型GaN电极接触层、N型AlGaN/GaN超晶格光限制层、N型GaN波导层、InGaN/GaN多量子阱有源层、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、P型AlGaN/GaN超晶格光限制层、p型GaN层和p型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层，在N型GaN电极接触层上设有n型电极，在p型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层上设有p型电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 基多 量子 辐射 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管，其特征在于设有蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上外延生长多层异质结构，多层异质结构自下而上设有低温GaN缓冲层、N型GaN电极接触层、N型AlGaN/GaN超晶格光限制层、N型GaN波导层、InGaN/GaN多量子阱有源层、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、P型AlGaN/GaN超晶格光限制层、p型GaN层和p型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层，在N型GaN电极接触层上设有n型电极，在p型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层上设有p型电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910111881.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：译码设备以及读出设备
- 下一篇：视频监控中的徘徊检测方法和系统
