[发明专利]铒离子掺杂二氧化锡纳米晶近红外发光材料及其制备方法和用途无效
| 申请号： | 200910112072.4 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101928561A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 陈学元;孔金涛;朱浩淼;李仁富;罗文钦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C09K11/66 | 分类号： | C09K11/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种铒离子掺杂二氧化锡纳米晶近红外发光材料的制备，涉及纳米荧光材料。本发明制备的铒离子掺杂二氧化锡纳米晶的组分为：xEr3+-(1-x)SnO2(x＝0.001-2mol％)，该发光材料采用二氧化锡基质敏化铒离子发光。用荧光光谱仪测试样品发光，通过选择激发SnO2带隙，可以利用从SnO2基质到Er3+的能量传递从而实现Er3+离子在1.55μm处强的室温近红外发光。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 掺杂 氧化 纳米 红外 发光 材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种铒离子掺杂二氧化锡纳米晶近红外发光材料，其特征在于：该发光材料的组分为xEr3+ (1 x)SnO2(其中x＝0.001 2mol％)，该发光材料采用二氧化锡基质敏化铒离子发光。
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