[发明专利]一种金属银/金属氧化物的透明导电薄膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910112679.2 申请日: 2009-10-13
公开(公告)号: CN101697288A 公开(公告)日: 2010-04-21
发明(设计)人: 赖发春;程正勤;裴瑜;黄志高;林丽梅 申请(专利权)人: 福建师范大学
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00;C23C14/06;C23C14/35;B32B9/04
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350108 福建省福州*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种由金属银和金属氧化物组成的透明导电薄膜及其薄膜的制备方法。所述的透明导电薄膜,由基片、薄膜缓冲层、薄膜导电层、透明导电薄膜保护层至下而上逐层排列。导电层是金属银薄膜,厚度3到10纳米;薄膜缓冲层厚度为10到30纳米;透明导电薄膜保护层厚度为20到50纳米。其制备方法是:采用磁控溅射镀膜技术,通过传送带带动基片在真空腔内的移动,分别在三个真空腔先后在基片层上逐层镀上缓冲层、导电层、透明导电薄膜保护层。本发明制备的薄膜在可见光区的光学透过率大于80%,面电阻小于10Ω。导电层和透明导电薄膜保护层的厚度都很薄,节省材料的用量,所需的镀膜时间短,在工业化大批量生产中有很高的生产效率。
搜索关键词: 一种 金属 氧化物 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种金属银/金属氧化物的透明导电薄膜,其特征是:该薄膜材料包括基片层、由金属氧化物组成的薄膜缓冲层、由金属银构成的薄膜导电层、由金属氧化物构成的透明导电薄膜保护层,且至下而上逐层排列。
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