[发明专利]一种多晶硅提纯装置及提纯方法无效
申请号: | 200910112896.1 | 申请日: | 2009-11-24 |
公开(公告)号: | CN101724900A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 罗学涛;陈文辉;李锦堂;龚惟扬;沈晓杰;陈朝 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C01B33/037 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种多晶硅提纯装置及提纯方法,涉及一种多晶硅。提供一种成本较低、效率较高的多晶硅提纯装置与提纯方法。装置设一、二次熔炼坩埚、一次造渣后盛渣坩埚和二次保温抬包。将硅与渣混匀放入一次熔炼坩埚中,将渣放入二次熔炼坩埚中加热至渣融化;一次熔炼坩埚中的物料融化后搅拌棒预热;反应后升起搅拌棒,加BaCO3;分层后将一次熔炼坩埚向右翻转浇铸,待绝大部分硅液流入二次熔炼坩埚直至开始有渣液流入后停止浇铸,向左翻转浇铸,将二次熔炼坩埚内的渣液倒入一次造渣后盛渣坩埚中凝固;搅拌棒预热,反应后升起搅拌棒,加BaCO3,分层后将二次熔炼坩埚向右翻转浇铸,将熔体全部倒入保温抬包中静置分层凝固;取出硅后粉磨酸洗,定向凝固。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 提纯 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种多晶硅提纯装置,其特征在于设有一次造渣熔炼坩埚、一次造渣后盛渣坩埚、二次造渣熔炼坩埚和二次保温抬包,一次造渣熔炼坩埚和二次造渣熔炼坩埚通过中频感应线圈进行加热,中频感应线圈由气动双向阀门控制实现双向翻转,一次造渣熔炼坩埚内装有待反应的硅液和一次熔渣,二次造渣熔炼坩埚内装有待反应的硅液和二次熔渣。一次造渣熔炼坩埚和二次造渣熔炼坩埚上方均设有可升降旋转搅拌棒,用于加速渣液和硅液充分接触与反应,一次造渣后盛渣坩埚内盛一次造渣后待凝固渣液,保温抬包内盛二次造渣后待凝固硅液和二次造渣后待凝固渣液。
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