[发明专利]用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法

摘要

用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法，涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层，P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上，场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层，金属铝层沉积在硅片表面，按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。

主权项

用于光电单片集成的硅基光电探测器，其特征在于设有P型硅衬底、BN+埋层、BP+埋层、N-EPI外延层、N阱、P阱、P型重掺杂硅层、N型重掺杂硅层、金属铝层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层，其中P型硅衬底、BN+埋层、BP+埋层、N-EPI外延层、N阱、P阱、P型重掺杂硅层、N型重掺杂硅层设于同一硅片材料上，场氧层是对硅片进行氧化在硅片表面生成的氧化硅层，金属铝层通过溅射工艺沉积在硅片表面，按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。