[发明专利]利用二甲基甲酰胺制备硫化镉纳米薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 200910114424.X 申请日: 2009-09-22
公开(公告)号: CN101665967A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: 覃爱苗;陈海念;邓日学;黄建安;余昕波 申请(专利权)人: 桂林理工大学
主分类号: C25D9/08 分类号: C25D9/08;H01L31/0296;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 541004广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种利用二甲基甲酰胺制备硫化镉纳米薄膜的方法。将导电玻璃和石墨电极用蒸馏水、酒精超声波清洗,然后吹干备用;将0.0001-0.00015mol的氯化镉和0.0005-0.00065mol硫源一起放入到烧杯中,加入10-15ml纯二甲基甲酰胺并搅拌,然后将烧杯放入水浴锅内加热至50-90℃,用石墨电极作为阳极,导电玻璃作为阴极,在2-8V电压恒压电沉积2-6分钟,即得到硫化镉纳米薄膜;所述硫源为硫和硫代乙酰胺中的一种。本发明合成方法设备简单,操作方便,合成快速,膜厚可控,制备的硫化镉纳米膜颜色均一,表面平整,牢固不易脱落,并有一定的光电特性。
搜索关键词: 利用 甲基 甲酰胺 制备 硫化 纳米 薄膜 方法
【主权项】:
1.一种利用二甲基甲酰胺制备硫化镉纳米薄膜的方法,其特征在于具体步骤为:将导电玻璃和石墨电极用蒸馏水、酒精超声波清洗,然后吹干备用;将0.0001-0.00015mol的氯化镉和0.0005-0.00065mol硫源一起放入到烧杯中,加入10-15ml纯二甲基甲酰胺并搅拌,然后将烧杯放入水浴锅内加热至50-90℃,用石墨电极作为阳极,导电玻璃作为阴极,在2-8V电压恒压电沉积2-6分钟,即得到硫化镉纳米薄膜;所述硫源为硫和硫代乙酰胺中的一种。
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