[发明专利]一种利用分子印迹免疫传感器测定微量土霉素的方法

摘要

本发明公开了一种利用分子印迹免疫传感器测定微量土霉素的方法。当土霉素分子印迹膜在金电极表面形成、和土霉素分子作用的时候，对苯二酚在金电极上的电化学信号发生变化，当检测体系里面存在双氧水的和辣根过氧化酶的时候，电化学信号变化更加显著。利用待测溶液中的土霉素竞争取代分子印迹膜上原有的辣根过氧化酶标记的土霉素的时候，电化学信号会随着未标记的土霉素浓度增加而线性减小，据此建立了一种测定痕量土霉素的电化学分析方法。差分脉冲伏安法法对待测液进行扫描，扫描电压-0.6V到0.8V，土霉素在0mol/L～8×10-8mol/L浓度范围内与峰电流值i呈良好的线性关系。本发明克服了现有技术存在过于复杂等诸多缺点，土霉素的检测限达到10-9mol/L。

主权项

一种利用分子印迹免疫传感器测定微量土霉素的方法，其特征在于具体步骤为：一、金电极的处理：将金电极依次用1.0μm、0.3μm和0.05μm的氧化铝粉抛光，依次在体积比为1∶1的硝酸、无水乙醇和纯水泡洗，取出后超声洗涤5min；二、土霉素分子印迹免疫传感器的制备：分别量取0.5mL 2×10-4mol/L～8×10-4mol/L的邻苯二酚和2.5mL 8×10-5mol/L～3.5×10-4mol/L的土霉素溶液加入到7mL pH＝5.2浓度为0.1mol/L的醋酸-醋酸钠缓冲溶液中，充分搅拌混匀后在0到0.8V之间以50mV/s的速度用循环伏安法连续扫描30到60圈，即可制得土霉素分子印迹免疫传感器；三、检测方法：取15mL小烧杯，加入10mL 0.1mol/L含有3×10-6mo l/L～8×10-6mol/L对苯二酚的磷酸盐缓冲溶液；将已在辣根过氧化酶标记土霉素溶液中充分吸附后的土霉素分子印迹免疫传感器浸入10mL1×10-5mol/L～3×10-3mol/L的土霉素溶液中竞争吸附3到10分钟，接入检测体系，滴加20μL 5×10-4mol/L～3×10-3mol/L的双氧水；用电化学工作站中的差分脉冲伏安法对待测液进行扫描，扫描电压-0.6V到0.8V；四、标准工作曲线的绘制：取15mL小烧杯，加入10mL 0.1mol/L含有3×10-6mol/L～到8×10-6mol/L对苯二酚的磷酸盐缓冲溶液；将已在辣根过氧化酶标记土霉素溶液中充分吸附后的土霉素分子印迹免疫传感器逐次浸入10mL 1×10-5mol/L～3×10-3mol/L土霉素溶液中竞争吸附3到10分钟，滴加20μL 5×10-4mol/L～3×10-3mol/L的双氧水，差分脉冲伏安法扫描，扫描电压-0.6V到0.8V；土霉素在0mol/L～8×10-8mol/L浓度范围内与峰电流值i呈良好的线性关系，线性方程：i＝24.07921-2.27396×C，相关系数R为0.99973；五、待测土霉素含量的测定：取15mL小烧杯，加入10mL 0.1mol/L含有3×10-6mol/L～到8×10-6mol/L对苯二酚的磷酸盐缓冲溶液；将已在辣根过氧化酶标记土霉素溶液中充分吸附后的土霉素分子印迹免疫传感器逐次浸入10mL 1×10-5mol/L～3×10-3mol/L土霉素溶液中竞争吸附3到10分钟，滴加20μL 5×10-4mol/L～3×10-3mol/L的双氧水，差分脉冲伏安法扫描，扫描电压-0.6V到0.8V；读出峰电流值i；根据校正曲线计算出C；即可知此10mL待测溶液中所含土霉素的量。