[发明专利]一种中温青花瓷的制备方法无效
| 申请号： | 200910114989.8 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101525249A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 董克勤;李非柳 | 申请（专利权）人： | 景德镇环球实业有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/86 | 分类号： | C04B41/86;C04B33/34;C03C8/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 333000江西省景德*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及青花瓷的制备方法。特别是中温氧化气氛烧成的中温青花瓷制品的制备方法。本发明的中温青花瓷的制备方法，其中：依次有以下步骤：(1)制备泥饼；(2)压制成型；(3)干燥泥坯；(4)在经磨坯、补水的坯料上直接粘贴用宝蓝彩料印制的棉纸花纸，填色料，施釉，在烧成温度1180℃～1250℃，氧化气氛中，烧成时间6～10小时条件下一次装烧成制品。采用本发明的宝蓝彩料及坯、釉料配方，中温氧化焰得到的产品与传统彩料及坯、釉料配方，高温还原焰得到的产品相比，采用本发明的烧成时间更短，烧成温度更低，外观也更靓丽。因而节约了能源，也提高了工业生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 青花 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种中温青花瓷的制备方法，其特征在于：依次有以下步骤：在经磨坯、补水的坯料上直接粘贴用宝蓝彩料印制的棉纸花纸，填色料，施釉，在烧成温度1℃～1℃，氧化气氛中，烧成时间6～10小时条件下一次装烧成制品。
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