[发明专利]铟镓铝氮半导体发光器件及其制备方法无效
| 申请号： | 200910115324.9 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101840967A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 熊传兵;江风益;王古平;方文卿;王立;章少华 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78;H01L21/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铟镓铝氮半导体发光器件及其制备方法。该器件包括：金属衬底；位于金属衬底上的铟镓铝氮多量子阱半导体发光薄膜；位于P型掺杂层和金属衬底之间的P型欧姆接触金属层；以及与N型掺杂层相连的N型电极。铟镓铝氮多量子阱半导体发光薄膜包括P型掺杂层，位于P型掺杂层上的N型掺杂层，以及位于N型掺杂层和P型掺杂层间的多量子阱发光层。该方法包括：铟镓铝氮多量子阱半导体发光薄膜在硅生长衬底上外延生长，随后利用以下两步骤将硅生长衬底去除：机械研磨硅生长衬底以减薄衬底至2～50μm，然后应用干法刻蚀技术刻蚀掉已减薄的硅生长衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 铟镓铝氮 半导体 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备铟镓铝氮半导体发光器件的方法，该方法包括：在硅生长衬底上外延生长铟镓铝氮多量子阱半导体发光薄膜，其中所述铟镓铝氮多量子阱半导体发光薄膜包括P型掺杂层，N型掺杂层以及多量子阱发光层；在所述铟镓铝氮多量子阱半导体发光薄膜上形成金属衬底；其特征在于：机械研磨所述硅生长衬底，将所述硅生长衬底厚度减薄至2～50μm；以及应用干法刻蚀技术蚀刻掉所述已减薄的硅生长衬底，由此完成铟镓铝氮多量子阱半导体发光薄膜从所述硅生长衬底至所述金属衬底的转移。
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