[发明专利]采用离子镀在生长衬底上制备氮化铝材料的方法无效
| 申请号： | 200910115536.7 | 申请日： | 2009-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101586227A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 王光绪;江风益;熊传兵;汪延明;陶喜霞 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用离子镀在生长衬底上制备氮化铝材料的方法，涉及一种半导体电子器件的生产方法。该方法采用离子镀技术在生长衬底表面形成更强附着力、更高纯度的氮化铝薄膜层，且制备过程的工艺温度更低，镀膜效率更高。本发明方法包括如下步骤：步骤A：选择具有择优取向的材料作为生长衬底，对生长衬底进行表面化学清洗，然后烘干；步骤B：将烘干后的衬底装入离子镀膜机中，抽真空；步骤C：然后通入氮气以及氩气，设置反应所需的弧电流、外加电压和占空比，使包括含铝靶源在内的反应物在离子镀膜机的反应室内、在一定的气压下进行沉积反应；步骤D：生成氮化铝的反应完成后原位保温或者退火，一段时间后取出。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 离子镀 生长 衬底 制备 氮化 材料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种采用离子镀在生长衬底上制备氮化铝材料的方法，包括如下步骤：步骤A：选择具有择优取向的材料作为生长衬底，对生长衬底进行表面化学清洗，然后烘干；步骤B：将烘干后的衬底装入离子镀膜机中，抽真空；步骤C：然后通入氮气以及氩气，设置反应所需的弧电流、外加电压和占空比，使包括含铝靶源在内的反应物在离子镀膜机的反应室内、在一定的气压下进行沉积反应；步骤D：生成氮化铝的反应完成后原位保温或者退火，一段时间后取出。
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