[发明专利]发光半导体的互补电极结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200910115793.0 | 申请日： | 2009-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101626057A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 刘军林;管志斌;江风益 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光半导体的互补电极结构及其制造方法，其涉及发光半导体领域，用以解决由电极投影区域引起的邦定层不平而导致的邦定不牢固问题。该互补电极结构包括发光材料层、位于发光材料层上方出光面的第一电极和位于发光材料层下方、背向出光面的第二电极，发光材料层包括与第一电极接触的第一掺杂层和与第二电极接触的第二掺杂层，所述第二掺杂层包括与所述第二电极接触的表面层；所述表面层包括相对表面层其它区域更高电阻的高阻层，该高阻层所在表面层上的区域为所述第一电极在所述第二掺杂层表面上的投影区域。本发明提供的互补电极结构可以提供一个平滑的邦定面，有利于形成高可靠性、高品质的芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 半导体 互补 电极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光半导体的互补电极结构，包括发光材料层、位于发光材料层上方出光面的第一电极和位于发光材料层下方、背向出光面的第二电极，发光材料层包括与第一电极接触的第一掺杂层和与第二电极接触的第二掺杂层，所述第二掺杂层包括与所述第二电极接触的表面层，其特征在于：所述表面层包括相对表面层其它区域更高电阻的高阻层，该高阻层所在表面层上的区域为所述第一电极在所述第二掺杂层表面上的投影区域。
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