[发明专利]一种高像素密度LED显示模块及其制作方法有效
| 申请号： | 200910115903.3 | 申请日： | 2009-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101625981A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 万金平;曹喜平;刘淑梅;任强 | 申请（专利权）人： | 南昌欣磊光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/78;H01L33/00;G09F9/33 |
| 代理公司： | 南昌平凡知识产权代理事务所 | 代理人： | 徐光熙 |
| 地址： | 330012江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种高像素密度LED显示模块的制作方法，属光电子器件制造技术领域。该方法取砷化镓基板外延片，在外延片的P层表面形成电极图形及欧姆接触；从外延片P层表面的特定位置向下切割形成深度超过外延片中P型材料厚度的沟槽，在沟槽中蒸镀N型欧姆接触金属并形成欧姆接触；将外延片底部粘贴在硅片上，然后在与沟槽垂直的方向将外延片切割成独立的行块排列；按行排列垂直的方向从表面向下进行列切割，从而使行块成为独立的像素单元，切割深度以分离行块中P型层的连接，不破坏N型层的连接为准。本LED显示模块利用象素本身的材料来提供模块内部中的电路连接，节约了对象素的控制电路所需占用的空间，大大降低了LED显示模块的点距，提高像素密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 像素 密度 led 显示 模块 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种高像素密度LED显示模块的制作方法，其特征在于，任取一片砷化镓基板外延片，在外延片的P层表面形成电极图形及欧姆接触；从外延片P层表面的特定位置向下切割形成深度超过外延片中P型材料厚度的沟槽，在沟槽中蒸镀N型欧姆接触金属并形成欧姆接触；将外延片底部粘贴在硅片上，然后在与沟槽垂直的方向将外延片切割成独立的行块排列，行块的排列是利用粘贴于底部的硅片来保持其排列完整性的；按行排列垂直的方向从表面向下进行列切割，从而使行块成为独立的像素单元，切割深度以分离行块中P型层的连接，以不破坏N型层的连接为准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
