[发明专利]应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法有效
申请号: | 200910116082.5 | 申请日: | 2009-01-14 |
公开(公告)号: | CN101527335A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 陈良范;罗毅;李晨 | 申请(专利权)人: | 普乐新能源(蚌埠)有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/18;H01L21/268;B23K26/36 |
代理公司: | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张建宏 |
地址: | 233030*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法,它包括以下步骤:用绿激光在衬底玻璃上的透明导电膜上刻出若干等宽的凹槽;在透明导电膜上沉积出非晶硅膜或微晶硅膜;在非晶硅膜或微晶硅膜上位于透明导电膜上的每一条凹槽的同向旁侧处第二次用绿激光分别刻出一条凹槽;在非晶硅或微晶硅膜上沉积负电极膜;再使用绿激光对非晶硅膜或微晶硅膜和负电极膜进行第三次刻槽,第三次刻出的每条凹槽分别位于非晶硅膜或微晶硅膜上的凹槽的同向旁侧,三次刻槽在同一台激光刻膜机的平台上完成。本发明可降低刻错的几率,提高良品率,使产品精确度大大提高,它工艺可靠,掌握容易,可操作性强。 | ||
搜索关键词: | 应用 激光 制备 薄膜 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
1、应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法,其特征在它包括以下步骤:a、用波长为532nm的绿激光在衬底玻璃上的透明导电膜上刻出若干所需等宽的凹槽;b、采用等离子体增强化学气相沉积法在透明导电膜上沉积出厚度为500~2000埃的非晶硅膜或微晶硅膜;c、在非晶硅膜或微晶硅膜上位于透明导电膜上的每一条凹槽的同向旁侧处第二次用波长为532nm的绿激光分别刻出一条凹槽;d、采用磁控溅射的方法在非晶硅或微晶硅膜上沉积厚度为500~2000埃的负电极膜;e、再使用波长为532nm的绿激光对非晶硅膜或微晶硅膜和负电极膜进行第三次刻槽,第三次刻出的每条凹槽分别位于非晶硅膜或微晶硅膜上的各凹槽的同向旁侧;以上三次刻槽均在同一台激光刻膜机的平台上完成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普乐新能源(蚌埠)有限公司,未经普乐新能源(蚌埠)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910116082.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的