[发明专利]应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法有效

专利信息
申请号: 200910116082.5 申请日: 2009-01-14
公开(公告)号: CN101527335A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 陈良范;罗毅;李晨 申请(专利权)人: 普乐新能源(蚌埠)有限公司
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20;H01L31/18;H01L21/268;B23K26/36
代理公司: 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 代理人: 张建宏
地址: 233030*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法,它包括以下步骤:用绿激光在衬底玻璃上的透明导电膜上刻出若干等宽的凹槽;在透明导电膜上沉积出非晶硅膜或微晶硅膜;在非晶硅膜或微晶硅膜上位于透明导电膜上的每一条凹槽的同向旁侧处第二次用绿激光分别刻出一条凹槽;在非晶硅或微晶硅膜上沉积负电极膜;再使用绿激光对非晶硅膜或微晶硅膜和负电极膜进行第三次刻槽,第三次刻出的每条凹槽分别位于非晶硅膜或微晶硅膜上的凹槽的同向旁侧,三次刻槽在同一台激光刻膜机的平台上完成。本发明可降低刻错的几率,提高良品率,使产品精确度大大提高,它工艺可靠,掌握容易,可操作性强。
搜索关键词: 应用 激光 制备 薄膜 太阳能电池 方法
【主权项】:
1、应用绿激光制备薄膜太阳能电池的方法,其特征在它包括以下步骤:a、用波长为532nm的绿激光在衬底玻璃上的透明导电膜上刻出若干所需等宽的凹槽;b、采用等离子体增强化学气相沉积法在透明导电膜上沉积出厚度为500~2000埃的非晶硅膜或微晶硅膜;c、在非晶硅膜或微晶硅膜上位于透明导电膜上的每一条凹槽的同向旁侧处第二次用波长为532nm的绿激光分别刻出一条凹槽;d、采用磁控溅射的方法在非晶硅或微晶硅膜上沉积厚度为500~2000埃的负电极膜;e、再使用波长为532nm的绿激光对非晶硅膜或微晶硅膜和负电极膜进行第三次刻槽,第三次刻出的每条凹槽分别位于非晶硅膜或微晶硅膜上的各凹槽的同向旁侧;以上三次刻槽均在同一台激光刻膜机的平台上完成。
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