[发明专利]多孔一维纳米四氧化三钴的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910116442.1 申请日: 2009-03-27
公开(公告)号: CN101508470A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 耿保友;余楠 申请(专利权)人: 安徽师范大学
主分类号: C01G51/04 分类号: C01G51/04;H01M4/58
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司 代理人: 徐 晖
地址: 241000安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了多孔一维钠米四氧化三钴的制备方法,包括以下工序:a)合成工序:室温下将浓度为二价钴盐与尿素溶液混合,在温度为80-120℃,反应0.5-12小时;b)过滤洗涤工序:将合成的固体产品过滤,洗涤,烘干,即可得到干燥的钴氢氧化物的纳米结构;c)煅烧工序:将过滤洗涤工序得到的产物置于200-400℃温度下加热,加热时间为1-2小时,冷却至室温。本发明与现有技术相比,具有纳米粉体颗粒均匀,分散性好,洁净程度较好;只以钴源为前驱体,不需要加入晶种;产率高,成本低,生产流程短,所制图的四氧化三钴具有非常高的比表面积、应用到锂离子电池中可大大地提高电池的性能。
搜索关键词: 多孔 纳米 氧化 制备 方法
【主权项】:
1、多孔一维钠米四氧化三钴的制备方法,其特征在于:包括以下工序:a)合成工序:室温下将浓度为二价钴盐与尿素溶液混合,在温度为80-120℃,反应0.5—12小时;b)过滤洗涤工序:将合成的固体产品过滤,洗涤,烘干,即可得到干燥的钴氢氧化物的纳米结构;c)煅烧工序:将过滤洗涤工序得到的产物置于200-400℃温度下加热,加热时间为1-2小时,冷却至室温。
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