[发明专利]四氧化三钴多孔纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 200910116443.6 | 申请日： | 2009-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101503219A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 耿保友;詹方明 | 申请（专利权）人： | 安徽师范大学 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;H01M4/52 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐 晖 |
| 地址： | 241000安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了四氧化三钴多孔纳米片的制备方法，包括以下工序，a)氧化还原工序；b)加热工序；c)煅烧工序，本发明与现有技术相比，具有以下特点：所制备的四氧化三钴纳米片的纯度很高，在产物中没有发现其他的钴氧化物，而且粒径均匀、尺度小、活性好、松装密度大；产率为98％以上，成本低，生产流程短，便于生产，以其为原料制成的锂电池具有非常优越的电化学性能和超长的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 多孔 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、四氧化三钴多孔纳米片的制备方法，其特征在于：包括以下工序：a)氧化还原工序：在室温、PH值为2—6.5的溶液中，将二价钴盐与亚硝酸盐进行混合，搅拌均匀后，再加入强碱，搅拌均匀，即可；b)加热工序：将a)氧化还原工序制得的溶液加热到80-200℃，反应1-36小时，过滤洗涤、干燥，即得六方的氢氧化氧化钴纳米片；c)煅烧工序：将加热工序得到的产物置于200-400℃温度下煅烧，煅烧时间为1-2小时，冷却至室温，即可。
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