[发明专利]ITO溅射靶材的制备方法无效
| 申请号： | 200910117332.7 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101575203A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 扈百直;孙本双;刘孝宁;李凤光;征卫星;马文卫;张红梅 | 申请（专利权）人： | 西北稀有金属材料研究院 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 宁夏专利服务中心 | 代理人： | 叶学军 |
| 地址： | 753000宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明是一种ITO溅射靶材的制备方法，原料由In2O3及SnO2组成，两者的质量百分比为90∶10，其工艺过程按以下步骤完成：ITO粉末预烧结；ITO粉末失氧处理；真空热压；毛坯的机械加工。其中，真空热压的条件为：在真空条件下，950～1100℃保温2～3h，保压压力9～15MPa。本发明采用氧化锡和氧化铟为原料，通过失氧等工艺保证了产品一流的质量，同时，同等质量下生产的周期较短，节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | ito 溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、ITO溅射靶材的制备方法，原料由In2O3及SnO2组成，两者的质量百分比为90∶10，其特征在于其工艺过程按以下步骤完成：ITO粉末预烧结；ITO粉末失氧处理；真空热压；毛坯的机械加工。
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