[发明专利]利用聚焦电子束制作高精度纳米孔及纳米孔阵列的方法无效
| 申请号： | 200910117346.9 | 申请日： | 2009-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101607692A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 段辉高;谢二庆;赵建果;刘利新;陈长城;刘延霞 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人： | 张英荷 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用聚焦电子束简单、高效制作高精度纳米孔及纳米孔阵列的方法，该方法是在真空度为1×10-7～1×10-10Torr，工作电压为100kV～200kV下，采用强度是为1×107～1×108e/nm2s的聚焦电子束辐照聚甲基丙烯酸甲酯纳米纤维1～60s，得到孔径在0.5nm～10nm之间的纳米孔；偏转电子束继续辐照聚甲基丙烯酸甲酯纳米纤维，可得到纳米孔阵列。本发明通过电子束的强度和辐照时间可以精确控制纳米孔的尺寸(精度可达0.1纳米)；利用静电控制电子束偏转从而控制纳米孔的周期，纳米孔阵列的周期可控制在1nm到20nm之间。主要应用于DNA序列检测、生物传感器、纳米生物电子学以及光子晶体等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 聚焦 电子束 制作 高精度 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1、利用聚焦电子束制作高精度纳米孔及纳米孔阵列的方法，其特征在于：于真空度为1×10-7～1×10-10Torr下，工作电压为100kV～200kV，采用强度是为1×107～1×108e/nm2s的聚焦电子束辐照聚甲基丙烯酸甲酯纳米纤维1～60s，得到孔径在0.5nm～10nm之间的纳米孔；偏转电子束辐照聚甲基丙烯酸甲酯纳米纤维，得到纳米孔阵列。
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