[发明专利]制备具有单晶薄膜的基板的方法有效
| 申请号： | 200910117817.6 | 申请日： | 2009-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101521155A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 久保田芳宏;川合信;田中好一;飞坂优二;秋山昌次;野岛义弘 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/265;H01L21/50;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁兴龙;王维玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在没有使用特殊基板的情况下容易地制备几乎没有晶体缺陷的包括在上面或上方的单晶薄膜的基板的方法。更具体地说，提供一种制备包括形成在处理基板的上面或上方的单晶薄膜的基板的方法，所述方法包括：步骤A：提供供体基板和处理基板；步骤B：在所述供体基板上生长单晶层；步骤C：将离子注入到所述供体基板上的单晶层中，形成离子注入层；步骤D：将注入离子的供体基板的单晶层的表面与所述处理基板的表面粘合；和步骤E：在存在于所述单晶层中的离子注入层处剥离粘合的供体基板，从而在所述处理基板上面或上方形成单晶薄膜；其中，通过使用所述的上面或上方形成有单晶薄膜的处理基板作为供体基板，重复至少步骤A～E。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 具有 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制备包括形成在处理基板上面或上方的单晶薄膜的基板的方法，所述方法包括：步骤A：提供供体基板和处理基板；步骤B：在所述供体基板上生长单晶层；步骤C：将离子注入到所述供体基板上的单晶层中，形成离子注入层；步骤D：将注入离子的供体基板的单晶层的表面与所述处理基板的表面粘合；和步骤E：在存在于所述单晶层中的离子注入层处剥离粘合的供体基板，从而在所述处理基板上面或上方形成单晶薄膜；其中，通过使用所述的上面或上方形成有单晶薄膜的处理基板作为供体基板，重复至少步骤A～E。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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