[发明专利]形成半导体封装件的方法及其结构有效

专利信息
申请号: 200910118013.8 申请日: 2009-02-23
公开(公告)号: CN101556946A 公开(公告)日: 2009-10-14
发明(设计)人: S·ST·日尔曼;R·M·阿巴斯诺特;F·T·琼斯 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/48;H01L21/58;H01L21/60
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦 晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开一种形成半导体封装件的方法及其结构。在一个实施方式中,半导体封装件被形成为包括引线框架,所述引线框架包括用于将半导体管芯附接到引线框架的多个管芯附接区域。引线框架被定位成覆盖形成封装件的一些外部端子或引线的另一个引线框架。
搜索关键词: 形成 半导体 封装 方法 及其 结构
【主权项】:
1.一种半导体封装件,其包括:第一引线框架,其具有第一连接垫和第二连接垫,所述第一连接垫用于电连接到半导体管芯的有源区域的第一电极,而所述第二连接垫用于电连接到所述有源区域的第二电极,其中所述第一连接垫和所述第二连接垫被设置为电连接到所述半导体封装件的相应的第一引线和第二引线;以及第二引线框架,其具有第一表面并具有第一部分,所述第一部分包括第一平面内的用于将所述半导体管芯附接到所述第二引线框架的管芯附接区域,所述管芯附接区域通过凹进部分而与所述第一表面分离,所述第二引线框架具有以一角度从所述第一表面延伸远离第一平面的多个支承部分,其中所述多个支承部分设置为形成所述半导体封装件的至少第三引线。
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