[发明专利]电学性能测试方法及其测试设备无效
| 申请号： | 200910118025.0 | 申请日： | 2009-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101813745A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 叶明修;方家彦;刘致宏;云正隆;柯昆龙 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电学性能测试方法，包括如下步骤：提供一测试设备，所述测试设备包括至少一测试区及一设置于所述测试区的散热装置；放置一半导体封装器件于所述测试区；于高温状态下对所述半导体封装器件进行第一次电学性能测试；利用所述散热装置对所述测试区进行冷却，使所述测试区的温度降至常温；以及于常温状态下对所述半导体封装器件进行第二次电学性能测试。 | ||
| 搜索关键词： | 电学 性能 测试 方法 及其 设备 | ||
【主权项】：
一种电学性能测试方法，其特征在于：包括如下步骤：提供一测试设备，所述测试设备包括至少一测试区及一设置于所述测试区的散热装置；放置一半导体封装器件于所述测试区；于高温状态下对所述半导体封装器件进行第一次电学性能测试；利用所述散热装置对所述测试区进行冷却，使所述测试区的温度降至常温；以及于常温状态下对所述半导体封装器件进行第二次电学性能测试。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910118025.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
