[发明专利]磁性多层膜制作装置

摘要

本发明涉及磁电阻效应元件及其制造方法，特别是涉及利用简单的溅射成膜法制作的具有极高磁电阻比的磁电阻效应元件及其制造方法。该磁电阻效应元件包含由一对强磁性层和位于其中间的势垒层组成的积层结构，至少一个强磁性层的至少与势垒层接触的部分为非晶态，势垒层是具有单晶结构的MgO层。

主权项

1.一种磁性多层膜制作装置，其特征在于，包括：搬送腔室，所述搬送腔室具备机器人搬送装置；第一成膜腔室，通过闸板阀和所述搬送腔室连接配置，通过使用强磁性体靶的溅射法使非晶态的强磁性层成膜；第二成膜腔室，通过闸板阀和所述搬送腔室连接配置，通过使用反强磁性体靶的溅射法使反强磁性层成膜；以及，第三成膜腔室，通过闸板阀和所述搬送腔室连接配置，通过溅射法，在成膜层的厚度方向上，使(001)面与该层的界面平行取向的单晶结构的氧化镁层成膜；所述机器人搬送装置使基板向所述第一至第三成膜腔室移动，将所述反强磁性层、所述氧化镁层以及所述非晶态的强磁性层在基板上积层。