[发明专利]碳化硅、氮化镓半导体器件玻璃钝化技术无效
| 申请号： | 200910118401.6 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101826471A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 林楠 | 申请（专利权）人： | 林楠 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/316;H01L29/872 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供碳化硅、氮化镓新型半导体器件表面钝化保护技术新途径，即使用玻璃钝化技术较好地解决上述高压、高功率、高温工作器件的表面钝化保护问题。本发明所提供的碳化硅、氮化镓新型半导体器件玻璃钝化技术可以使用锌系钝化玻璃也可以使用铅系钝化玻璃；可以使用包括：刮涂、电泳、溅射、离心、化学气相沉积等在内的多种沉积/涂覆方法实现钝化玻璃覆盖；通过热处理技术可以精确控制钝化玻璃膜与碳化硅、氮化镓半导体器件材料的热匹配并同时获得优异的器件高温反向特性；在上述器件上还可实现钝化玻璃与SiO2或Si3N4双重介质膜的钝化形式以满足不同器件设计要求。利用本发明还可兼容制作晶体管的栅介质层和半导体电容介质材料，在集成电路场合使所制元件面积缩小、性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 氮化 半导体器件 玻璃 钝化 技术 | ||
【主权项】：
一种碳化硅、氮化镓半导体器件表面钝化保护技术新途径，其特征在于：使用玻璃钝化技术解决上述高压、高功率、高温工作器件的表面钝化保护问题。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
