[发明专利]X射线感测器及其制作方法

摘要

本发明提供一种X射线感测器及其制作方法，所述感测器包括：具有光感应区域的基板；图案化第一导电层，其至少包括设于光感应区域内的栅极；栅极介电层；图案化半导体层；图案化第二导电层，至少包括一源极与一漏极；介电层，所述介电层具有第一过孔，其暴露出部分漏极；图案化第三导电层，包括设于光感应区域内的感应下电极，并通过第一过孔而电连接于漏极；图案化富硅介电层；图案化透明导电层；覆盖图案化透明导电层的保护层；以及设于保护层上的闪烁发光层，其对准于图案化富硅介电层。所述感测器是以富硅介电材料作为感光层，增进感光灵敏度。此发明可使用较少的光刻暨刻蚀工艺，并降低薄膜层的总厚度，达到简化工艺与降低成本的目的。

主权项

1.一种X射线感测器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板，所述基板包括一光感应区域；于所述基板上形成一图案化第一导电层，所述图案化第一导电层至少包括一栅极，设于所述光感应区域内；于所述基板上形成一栅极介电层，覆盖所述栅极表面；于所述栅极介电层上形成一图案化半导体层与一图案化第二导电层，依序设于所述栅极介电层表面，且所述图案化半导体层包括一半导体沟道区设于所述栅极上方的所述栅极介电层表面，而所述图案化第二导电层包括一源极与一漏极设于所述图案化半导体层上且分别位于所述半导体沟道区两侧；于所述基板上形成一图案化介电层，所述图案化介电层具有至少一第一过孔，暴露部分所述漏极；于所述基板上形成一图案化第三导电层，所述图案化第三导电层包括一感应下电极设于所述光感应区域内，且经由所述第一过孔而电连接所述漏极，并且所述图案化第三导电层位于所述图案化半导体层上方；于所述基板上形成一图案化富硅介电层，设于所述感应下电极的表面；于所述基板上形成一图案化透明导电层，所述图案化透明导电层至少包括一感应上电极，覆盖所述图案化富硅介电层；于所述基板上形成一保护层，覆盖所述图案化透明导电层；以及于所述基板上形成一闪烁发光层，设于所述保护层之上，所述闪烁发光层对应所述图案化富硅介电层。