[发明专利]多层图像传感器有效
| 申请号： | 200910118514.6 | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101577287A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 崔瑗熙;李性德 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;罗延红 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多层图像传感器。所述图像传感器包括多层结构，并具有第一光接收单元和第二光接收单元，第一光接收单元提取与可见区域的入射光的色彩信息对应的信号，第二光接收单元提取与红外区域的光和对应于可见区域的白光对应的信号。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 图像传感器 | ||
【主权项】：
1、一种多层图像传感器，包括：第一光接收单元，检测光谱的可见区域内的特定波长范围的光；第二光接收单元，检测与可见区域对应的白光；第三光接收单元，检测红外区域的光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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