[发明专利]异质结场效应晶体管无效
| 申请号： | 200910118543.2 | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101521225A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 玉井功;户田典彦;星真一 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/205;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供异质结场效应晶体管。其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。作为解决手段，异质结场效应晶体管具有在基底(20)上依次层积的作为沟道层(40)的第1GaN层、作为电子供给层(50)的AlN层、以及作为覆盖层(60)的第2GaN层。AlN层的厚度大于等于2.5nm且小于等于8nm。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1. 一种异质结场效应晶体管，其特征在于，所述异质结场效应晶体管具有在基底上依次层积的作为沟道层的第1GaN层、作为电子供给层的AlN层、以及作为覆盖层的第2GaN层，所述AlN层的厚度大于等于2.5nm且小于等于8nm。
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