[发明专利]变异栅晶体管有效
| 申请号： | 200910122096.8 | 申请日： | 2009-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN111630955B | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 沈鸣杰;俞剑;华霞;俞军 | 申请（专利权）人： | 上海复旦微电子集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 徐钫 |
| 地址： | 200433 上海市杨*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种可以在抗辐射版图加固技术中应用的变异栅晶体管。包括在源端和源端边缘之间、漏端和漏端边缘之间插入栅氧，从而切断源端到源端边缘的通路和切断从源端到源端边缘到漏端边缘到漏端的电流，同时切断从漏端到漏端边缘到源端边缘到源端的电流。采用此方法，晶体管的基本结构不改变，很好地消除了边缘漏电流情况，与普通栅晶体管相比，对于同一有效宽长比，变异栅晶体管并没有增加面积，有效宽长比基本与普通栅一致，源区和漏区是完全对称。 | ||
| 搜索关键词： | 变异 晶体管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
